Samsung har gått med på Nvidias begäran att låta delar av sitt specialanpassade HBM4E-minne med hög bandbredd, som marknadsförs som NVHBM, tillverkas med TSMC:s 3-nanometersprocess.

Nvidias begäran och NVHBM:s roll

Nvidia har begärt att bolagets tre främsta HBM-leverantörer ska tillverka delar av minneskomponenterna med TSMC:s 3 nm-litografi. Syftet är att säkerställa enhetlig prestanda och förenkla valideringen mellan leverantörerna. De aktuella chippen är specialanpassade HBM4E-enheter som Nvidia benämner NVHBM och som är avsedda för bolagets AI-infrastruktur.

  • Micron
  • SK hynix
  • Samsung

Fördelning av waferproduktionen och Samsungs interna process

Medan en del av waferproduktionen för NVHBM ska ske med TSMC:s 3 nm-process kommer andra delar av minnesstackarna att tillverkas i Samsungs egna fabriker med bolagets sjätte generationens litografi, kallad 1c-processen. Samsung har tidigare samarbetat med TSMC kring chippaketering, men att låta TSMC hantera waferproduktion av minne som Samsung har designat saknar motstycke i Samsungs tillverkningshistoria.